日前，以北京大学信息科学技术学院微纳电子学研究院为第一作者单位的五篇论文在电气电子工程师学会（IEEE）电子器件大会（IEDM 2017）上发表。北大是IEDM 2017接收来自中国论文最多的单位，也是北大连续第11年在IEDM发表论文，表明我校在微纳电子器件领域的研究水平持续保持在国际前沿之列。

这几篇论文的内容包括《基于FinFET技术的随机计算新架构的评估与设计优化方法》（第一作者：博士研究生张雅文，指导教师：王润声副教授、黄如院士）、《FinFET器件中热载流子效应的实验表征与物理模型》（第一作者：博士生余卓擎，指导教师：王润声副教授、黄如院士）、《基于忆阻器的模拟神经形态系统中的时变涨落性研究》（第一作者：硕士研究生康健，指导教师：蔡一茂研究员、黄如院士、纪志罡访问研究员）、《基于随机电报噪声对氧化物阻变存储器的氧空位缺陷表征方法及其应用》（第一作者：博士后黄鹏，合作导师：刘晓彦教授、康晋锋教授）。此外，黄如院士受邀在电路-器件协同领域做题为《面向16/14纳米及以下工艺节点的涨落性与可靠性的设计优化》的特邀报告，该成果已推广到华为海思公司和铿腾电子科技有限公司（Cadence）等国际知名IC企业。

以上论文的相关研究工作得到了国家自然科学基金创新研究群体、优秀青年科学基金等项目的资助，以及微纳电子与集成系统协同创新中心、北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室等基地平台的支持。

背景链接：具有六十多年历史的IEDM是微电子器件领域的顶级会议，在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力，被外媒誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。该会议主要报道国际半导体技术方面的最新研究进展，是著名高校、研发机构和英特尔、IBM等企业报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台之一。近年来，集成电路技术领域的许多重大技术突破都是通过该会议正式发布的。