北京大学半导体纳米结构物理与器件实验室团队面向海内外诚邀博士后研究人员加入。

一、 实验室情况

       北京大学半导体纳米结构物理与器件实验室于2010年启动。现有教授1名，具有海外知名高校、研究所留学及工作经历的副教授3名，在读研究生10人。
实验室主任徐洪起教授是国家“千人计划”特聘专家，2010年入职北京大学，是国家重大科学研究计划项目“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”首席科学家。先后主持10余项瑞典国家研究项目及欧盟研究项目；2006 年至2009 年担任瑞典国家研究基金局工程物理委员会委员，2012年起担任瑞典国家研究基金局半导体物理、电气、电子与光电子委员会委员；自2001 年起受聘担任欧盟科技专家至今，是10多个国家和地区研究基金机构的项目评审专家和30 多种国际学术期刊的审稿人。曾在中国科学院物理研究所、半导体研究所，大连理工大学，日本理化研究所等高校或科研机构担任客座/访问教授，2004 年获中国科学院海外知名学者称号。

      实验室主要研究方向包括：
   （1） 半导体纳米结构物理，包括材料生长、晶格结构、能谱结构、电学与光学性质等实验与理论研究；
   （2） 纳电子学器件与自旋电子学器件的制作、测量、物理与应用研究；
   （3） 固态量子信息器件的制备、测量、物理机制与应用研究；
   （4） 低维凝聚态多体物理，包括强关联、自旋纠缠等多体物理现象的实验与理论研究。

    实验室现已具备以下实验条件：
   （1） 极低温、强磁场测试系统（2台牛津稀释制冷机Triton200）；
   （2） 极低噪声、高灵敏度直流、交流和高频测量系统；
   （3） 线宽100 nm以下的纳米器件加工平台，包括电子束曝光、金属镀膜、离子束刻蚀等当代先进纳米加工设备； 
   （4） 半导体纳米线CVD生长系统；
   （5） 光学测量与扫描电镜、透射电镜等微观表征平台。

二、 应聘条件

      根据实验室建设需要，现拟招收从事实验和理论研究的博士后数名。申请者
应品学兼优，身体健康，热爱科学研究，具有高度的责任心、良好的科研素养以及团队合作精神。具体招收方向如下：
   （1） 从事低维半导体纳米材料生长研究：申请者须具有国内外知名高校物理学、材料学或化学专业博士学位，并具有气相生长半导体低维纳米材料以及相应微观表征的研究经验。
   （2） 从事纳米光电子学实验研究：申请者须具有国内外知名高校物理学、光电子学或材料学专业博士学位，并具有低维半导体纳米材料的光致发光、电致发光物理机制的相关研究经验。
   （3） 从事理论研究：申请者须具有国内外知名高校物理学专业博士学位，并具有理论半导体物理、量子器件理论、量子信息器件理论或凝聚态理论等领域的研究经验。
   （4） 从事纳米器件电学输运实验研究：申请者须具有国内外知名高校物理学或电子学专业博士学位，并具有纳米器件加工制备、低温精密电学测量等方面的实验经验。

三、申请材料 
   （1） 个人简历（包括个人情况，教育经历、研究经历，研究领域、研究兴趣，论文及其他成果清单）；
   （2） 两封推荐信和推荐人的有效联系方式；
   （3） 拟开展研究的计划；
   （4） 其他体现个人学术能力的相关材料。

四、待遇 
      入站后按照北京大学博士后相关规定执行。

五、联系方式 
      有意申请者，请将申请材料通过电子邮件发送至syhuang@pku.edu.cn，并在标题中注明“应聘博士后”。
       联系人：黄少云副教授，北京大学信息科学技术学院（邮编：100871）；联系电话：010-62761039。