2019年8月29日，国家自然科学基金委员会（以下简称“基金委”）副主任陆建华院士、信息科学部主任郝跃院士、信息科学部常务副主任张兆田研究员和专家组组长房建成院士、李天初院士等一行21人对国家重大科研仪器研制项目（部门推荐）“半导体器件氧化层电缺陷演化原位分析系统”进行现场考察。该项目以北京大学为依托单位，信息科学技术学院黄如院士为项目负责人，中国科学院半导体研究所为合作单位。北京大学校长郝平及各职能部门负责人，中国科学院半导体研究所所长谭平恒研究员、副所长杨富华研究员，信息科学技术学院黄如院士等项目组成员参加了会议。会议由基金委信息科学部主任郝跃院士主持，考察程序由专家组组长房建成院士主持。

图1  与会领导讲话

基金委副主任陆建华院士代表基金委对该项目给予了充分肯定，该项目是基金委近五年在微电子领域部署的首个国家重大科研仪器项目，期望该项目在后摩尔时代的集成电路与半导体新器件技术等方向产生突破。

北京大学校长郝平代表学校对与会领导及专家的到来表示热烈欢迎，对基金委及专家们给予的支持表示衷心感谢。他指出，北京大学一直以来高度重视服务国家重大战略的原始创新。该项目是北京大学今年继国家集成电路产教融合创新平台之后在微电子学科的又一标志性项目，不仅科学意义重大，应用价值也很重要，这是国家对北大的信任，也是学习多年来学科建设努力的结果。北京大学作为依托单位，将为该项目的开展提供全方位支持，学校将为北大与中科院半导体所的合作提供所需的保障条件，全力促进项目的顺利实施！

中科院半导体所所长谭平恒和副所长杨富华也代表合作单位先后发言，表示中科院半导体所与北京大学团队有良好的长期合作基础，优势互补。半导体所作为合作单位，将全力支持，圆满完成项目任务。

基金委信息科学部主任郝跃院士指出了重大仪器项目在实施过程中可能面临的困难，同时希望考察组专家在研制方案、项目进度、仪器场地和保障条件等方面提出意见和建议。

图2   黄如院士进行项目汇报

项目负责人黄如院士就仪器的研制原理、研制方案、研制基础、进度安排、保障条件以及风险应对等进行了介绍。基金委领导及考察组专家认真听取了项目汇报并与项目组成员和依托单位相关管理部门人员展开了热烈的讨论，就项目的科学问题、研制方案和依托单位的保障条件等进行了充分交流沟通。随后，考察组还到微纳电子学系相关实验室进行了实地考察。

图3  专家组在北京大学微纳电子学系实地考察

氧化层电缺陷是影响半导体器件性能和可靠性退化的共性科学问题，是先进芯片制造技术研发的瓶颈。该项目基于项目组提出的新原理，拟研制世界首个具备缺陷位置、类型、演化等分析的新型半导体器件氧化层缺陷测试分析系统，具备器件无损测量、实时监测和单缺陷分析等特色。通过现场考察，专家组一致认为，该系统的研制将开拓微纳电子学的前沿基础，并有望推动我国先进集成电路技术与芯片制造产业的发展，一致建议及时启动。

图4  现场考察会议与会人员合影