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邱晨光

职称:研究员

研究所:物理电子学研究所

研究领域:碳基电子学;拟态神经电子器件与系统集成;陡峭亚阈值摆幅超低功耗器件

办公电话:

电子邮件:chenguangqiu@pku.edu.cn

个人主页:

教育背景

2011年于西安电子科技大学取得微电子专业学士学位,2016年于北京大学取得物理电子学专业博士学位,2016-2019年在北京大学电子学系从事博士后研究,并入选“博雅博士后”, 2019年全职加入北京大学电子学系任研究员

 


主要研究领域

主要致力于碳基电子学;拟态神经电子器件与系统集成;陡峭亚阈值摆幅超低功耗器件


主要获奖成果

从事纳米电子器件方面的研究近十年,在Science,Nature Electronics, ACS Nano,Nano Letters, IEDM等顶级国际期刊和会议上发表论文,其中第一作者在Science上发表论文两篇,所包括的“5纳米栅长碳纳米管晶体管”的Science论文入选ESI高被引用论文和热点论文,并且该工作入选2017年的中国高校十大科技进展,该论文入选2017年中国前100篇国际上高影响力论文。此外,在2018年的一作Science论文上率先在国际上提出并实现了狄拉克冷源晶体管,使得亚60低功耗器件领域增加了又一新成员。