日前，经过高校申报和公示、形式审查、学部初评、项目终审等评审流程，由教育部科学技术委员会组织评选的2017年度中国高等学校十大科技进展在京揭晓。
北京大学信息科学技术学院物理电子学研究所、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛教授团队的项目“5纳米碳纳米管CMOS器件”榜上有名。该团队曾在2000年的评选中凭项目“亚纳米碳管的稳定性研究”首次入选。
芯片是信息时代的基础与推动力，现有CMOS技术将触碰其极限。碳纳米管技术被认为是后摩尔时代的重要选项。理论研究表明，碳管晶体管有望提供更高的性能和更低的功耗，且较易实现三维集成，系统层面的综合优势将高达上千倍，芯片技术由此可能提升至全新高度。北京大学电子学系彭练矛教授团队在碳纳米管CMOS器件物理和制备技术、性能极限探索等方面取得重大突破，放弃传统掺杂工艺，通过控制电极材料来控制晶体管的极性，抑制短沟道效应，首次实现了5纳米栅长的高性能碳管晶体管，性能超越目前最好的硅基晶体管，接近量子力学原理决定的物理极限，有望将CMOS技术推进至3纳米以下技术节点。2017年1月20日，标志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 为题，在线发表于《科学》（Science, 2017, 355: 271-276）；被包括IBM研究人员在内的同行在《科学》《自然?纳米技术》等期刊24次公开正面引用，并入选ESI高被引论文。相关工作被Nature Index、IEEE Spectrum、Nano Today、《科技日报》等国内外主流学术媒体和新华社报道；《人民日报》（海外版）评价碳管晶体管的“工作速度是英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管的三倍，而能耗只是其四分之一”，意味着中国科学家“有望在芯片技术上赶超国外同行”，“是中国信息科技发展的一座新里程碑”。
自1998年以来，这项评选已开展20届，对提升高等学校科技的整体水平、增强高校的科技创新能力发挥了积极作用，并产生较大的社会影响，赢得了较高的声誉。
信息来源：http://www.moe.gov.cn/jyb_xwfb/gzdt_gzdt/s5987/201712/t20171226_322489.html
