2017年3月7日，科技部党组书记、副部长王志刚带队赴北京未来科技城调研北京科技创新中心建设，并召开座谈会。科技部党组成员、副部长李萌，北京市人民代表大会常务委员会副主任、北京市科学技术委员会主任闫傲霜，北京市副市长隋振江，相关单位负责人参加调研。会议由闫傲霜主持。
会上，调研组听取了北京推进科技创新中心建设领导小组办公室秘书处，以及中关村科学城、怀柔科学城、未来科技城的工作进展情况汇报，与来自北京大学、清华大学，中国科学院计算技术研究所、物理研究所，百度公司、国家电力投资集团公司等高等学校、科研院所、科技企业的代表进行了交流。
王志刚强调，要着力加强统筹布局，高水平谋划推进科技创新中心建设，做好中关村科学城、怀柔科学城和未来科技城的特色定位和差异化发展；着力优化政策环境，为优秀企业和科研人员搭建公共服务平台，营造良好的创新生态；着力强化协同创新，统筹利用好高校、院所、央企各方面科技创新资源，推动形成建设合力。闫傲霜要求，“一处七办”要坚持问题导向，狠抓任务落实，跑表计时，到点验收，用钉钉子精神推动各项工作落地见效，在营造良好创新环境、强化创新主体活力等方面作出应有的贡献。隋振江指出，下一步将以中关村科学城、怀柔科学城、未来科技城、北京经济技术开发区“三城一区”为主平台，加快推进科技创新中心建设。
北京大学信息科学技术学院物理电子学研究所、纳米器件物理与化学教育部重点实验室教授，碳基纳电子学研究中心主任彭练矛应邀参会并发言。他汇报了北大在过去的十几年里发展碳纳米管无掺杂制备碳芯片的新技术，解决从芯片用材料到碳纳米管集成电路制备的一系列关键问题，最终形成一整套碳纳米管电子和光电子集成技术，在世界上首次报道性能超过硅基最先进晶体管的5 nm碳纳米管晶体管，从而证明碳管技术在亚10 nm技术节点较硅基技术有10倍以上的综合优势；与此同时，他也指出将碳芯片技术从实验室推向市场所急需的稳定机制和渠道。
