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解冰

职称:讲师

研究所:微纳电子学研究院

研究领域:半导体器件可靠性

办公电话:86-10-62752579

电子邮件:xieb@pku.edu.cn

个人主页:

科研/教育经历

解冰,北京大学微电子学与固体电子学专业,博士学位。

 

主要研究方向

主要研究领域包括薄栅介质MOSFET结构的电学特性和可靠性;Si/SiO2界面物理;高场物理和击穿机制;MOS器件的退化机制以及Flash 存储器的可靠性等。

 

研究成果概况

参与编写了《电路基础实验》课程教材,并获校级教学成果一等奖。 

主要参与的科研项目有国家科技重点实验室的合作项目“EEPROM超薄栅隧道氧化层(<10nm)可靠性评价模型研究”;国家973项目“微小尺度MOS器件可靠性问题”的研究;与Motorola公司的国际合作项目的研究工作“亚微米MOSFETs寿命预测模型的发展”;还有自然科学基金及电子预研项目等。