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韩德栋

职称:副教授

研究所:微纳电子学研究院

研究领域:新型半导体材料及器件

办公电话:86-10-62766516

电子邮件:handedong@pku.edu.cn

个人主页:

科研/教育经历

北京大学微电子与固体电子学专业博士,信息科学技术学院微电子系副教授,信息科学技术学院工会副主席,新器件研究室副主任。2008-2009年在日本庆应大学做访问学者一年。


主要研究方向

主要研究领域包括新型半导体材料;新型MOS器件结构;新型薄膜晶体管的工艺技术、新型透明显示和柔性显示关键技术研究等。


研究成果概况

先后主持了国家自然基金项目锗基MOS器件的关键工艺技术研究和全透明氧化物薄膜晶体管的工艺技术及物理机理研究;参加了国家973项目纳米尺度新结构器件理论及模型模拟研究和新型低功耗集成电路材料基础研究课题;参加了国家自然基金项目ZnO稀磁半导体薄膜的制备与相关器件研究、纳米工艺下可制造性和成品率驱动的集成电路设计方法学研究、面向SoC的单胞CMOS结构和集成技术研究、新型50纳米部分耗尽型SOI器件研究等多项国家级科研项目以及北京市科技计划TFT有源OLED显示屏关键技术研发项目。已发表科技论文一百余篇,申请发明专利五十余项。担任了国家自然基金评审人;IEEE EDL、TED、T-Nano、ACS Applied Materials & Interfaces、Scientific Reports等国际期刊审稿人。


部分论文及申请专利

1.       Han, DD; Zhang, Y; Cong, YY; Yu, W; Zhang, X; Wang, Y; Fully transparent flexible tin-doped zinc oxide thin film transistors fabricated on plastic substrate, SCIENTIFIC REPORTS, Year:2016 Volume:6 Page: srep38984

2.       Han, DD; Chen, ZF; Cong, YY; Yu, W; Zhang, X; Wang, Y; High-Performance Flexible Tin-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Fabricated on Plastic Substrates, EEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Year: 2016 Volume:63 Issue:8 Page:3360-3363

3.       Han, DD; Huang, LL; Yu, W; Cong, YY; Dong, JC; Zhang, X; Wang, Y; Effects of Channel Layer Thickness on Characteristics of Flexible Nickel-Doped Zinc Oxide Thin-Film Transistors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES Year:2017 Volume:64 Issue:5 Page:1997-2000

4.       Cong, YY; Han, DD*; Dong, JC; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; Fully transparent high performance thin film transistors with bilayer ITO/Al-Sn-Zn-O channel structures fabricated on glass substrate, SCIENTIFIC REPORTS Year:2017 Volume:7 Page: 41598

5.       Yu, W; Han, DD*; Dong, JC; Cong, YY; Cui, GD; Wang, Y; Zhang, SD; AZO Thin Film Transistor Performance Enhancement by Capping an Aluminum Layer, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Year:2017 Volume:64 Issue:5 Page:2228-2232

6.       Cui, GD; Han, DD*; Cong, YY; Dong, JC; Yu, W; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; High-Performance Ti-Doped Zinc Oxide TFTs With Double-Layer Gate Dielectric Fabricated at Low Temperature, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS Year:2017 Volume:38 Issue:2 Page:207-209

7.       Li, HJ; Han, DD*; Liu, LQ; Dong, JC; Cui, GD; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; Bi-layer Channel AZO/ZnO Thin Film Transistors Fabricated by Atomic Layer Deposition Technique, NANOSCALE RESEARCH LETTERS Year:2017 Volume:12 Page:11671

8.       Cai, J; Han, DD*; Geng, YF; Wang, W; Wang, LL; Zhang, SD; Wang, Y; High-Performance Transparent AZO TFTs Fabricated on Glass Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES Year:2013 Volume:60 Issue:7 Page:2432-2435

9.       Han, DD; Huang, FQ; Cong, YY; Huang, LL; Zhang, Y; Shi, P; Yu, W; Zhou, XL; Liu, LF; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; Fully transparent flexible dual-layer channel Ga-doped ZnO thin-film transistors on plastic substrates, IEEE ELECTRONICS LETTERS Year:2015 Volume:51 Issue:14 Page:1069-1070

10.  Cong, YY; Han, DD*; Zhou, XL; Huang, LL; Shi, P; Yu, W; Zhang, Y; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; High-Performance Al-Sn-Zn-O Thin-Film Transistor With a Quasi-Double-Channel Structure, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS Year:2016 Volume:37 Issue:1 Page:53-56

11.   Han, DD; Wang, W; Cai, J; Wang, LL; Ren, YC; Wang, Y; Zhang, SD; Flexible Thin-Film Transistors on Plastic Substrate at Room Temperature, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY Year:2013 Volume:13 Issue:7 Page:5154-5157

12.   Han, DD; Zhang, SM; Zhao, FL; Dong, JC; Cong, YY; Zhang, SD; Zhang, X ;Wang, Y; Transparent gallium doped zinc oxide thin-film transistors fabricated on glass substrate, THIN SOLID FILMS Year:2015 Volume:594 Page:266-269

13.   Han, DD; Cai, J; Wang, W; Wang, LL; Wang, Y; Liu, LF; Zhang, SD; High Performance Aluminum-Doped ZnO Thin Film Transistors with High-K Gate Dielectrics Fabricated at Low Temperature, SENSOR LETTERS Year:2013 Volume:11 Issue:8 Page:1509-1512

14.   Chen, ZF; Han, DD*; Zhao, NN; Cong, YY; Wu, J; Dong, JC; Zhao, FL; Liu, LF; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; High-performance dual-layer channel ITO/TZO TFTs fabricated on glass substrate, ELECTRONICS LETTERS Year:2014 Volume:50 Issue:8 Page:633-634

15.   韩德栋;郁文;王漪;董俊辰;丛瑛瑛;崔国栋;张盛东;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201610176781.9申请日: 2016.03.25发明名称: 一种具有金属覆盖层的薄膜晶体管及其制备方法

16.   韩德栋;郁文;王漪;石盼;张翼;黄伶灵;丛瑛瑛;董俊辰;张盛东;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201510430849.7申请日: 2015.07.21发明名称: 三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

17.   韩德栋;郁文;王漪;石盼;丛瑛瑛;张翼;董俊辰;周晓梁;黄伶灵;张盛东;刘力锋;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201510158994.4申请日: 2015.04.03发明名称: 一种掺钙氧化锌薄膜晶体管及其制备方法

18.   韩德栋;石盼;王漪;丛瑛瑛;董俊辰;周晓梁;郁文;张翼;黄伶灵;刘力锋;张盛东;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201510111273.8申请日: 2015.03.13发明名称: 一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法

19.   韩德栋;陈卓发;赵楠楠;王漪;丛瑛瑛;吴静;赵飞龙;董俊辰;黄伶灵;张翼;张盛东;刘力锋;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201410428650.6申请日: 2014.08.27发明名称: 一种薄膜晶体管及其制备方法

20.   韩德栋;黄伶灵;陈卓发;丛瑛瑛;赵楠楠;吴静;赵飞龙;董俊辰;王漪;刘力锋;张盛东;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201410345212.3申请日: 2014.07.18发明名称: 一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法

21.   韩德栋;丛瑛瑛;黄福青;单东方;张索明;田宇;王漪;张盛东;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201310613115.3申请日: 2013.11.27发明名称: 一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法

22.   韩德栋;张索明;田宇;单东方;黄福青;丛瑛瑛;王漪;张盛东;刘力锋;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201310018388.3申请日: 2013.01.17发明名称: 一种底栅薄膜晶体管及其制备方法

23.   韩德栋;蔡剑;王龙彦;刘盖;王亮亮;马建忠;丛瑛瑛;张翼;田宇;张索明;单东方;黄福青;王漪;张盛东;刘晓彦;康晋锋; 专利号:ZL201210425355.6申请日: 2012.10.30发明名称: 一种像素驱动电路及其驱动方法公开(公告)号: CN102915703B公开(公告)日: 2014.12.17

24.   韩德栋;王薇;蔡剑;王亮亮;耿友峰;刘力锋;王漪;张盛东;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201210213660.9申请日: 2012.06.25发明名称: 一种在柔性衬底上的薄膜晶体管的制备方法

25.   韩德栋;蔡剑;刘力锋;王薇;王亮亮;耿友峰;王漪;张盛东;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201210202201.0申请日: 2012.06.15发明名称: 一种薄膜晶体管及其制备方法

26.   韩德栋;王漪;蔡剑;王亮亮;任奕成;张盛东;孙雷;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201210127626.X申请日: 2012.04.26发明名称: 一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

27.   韩德栋;蔡剑;王漪;王薇;王亮亮;任奕成;张盛东;刘晓彦;康晋锋; 专利号:ZL201210008323.6申请日: 2012.01.12发明名称: 一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法公开(公告)号?: CN102544108B公开(公告)日: 2015.02.11

28.   韩德栋;王薇;蔡剑;王漪;张盛东;王亮亮;任奕成;刘晓彦;康晋锋;申请号: CN201110406897.4申请日: 2011.12.08发明名称: 一种塑料衬底上制备薄膜晶体管的制备方法

29.   韩德栋;蔡剑;王薇;王亮亮;王漪;张盛东;任奕成;刘晓彦;康晋锋; 专利号:ZL201110423372.1申请日: 2011.12.16发明名称: 一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法公开(公告)号: CN102522337B公开(公告)日: 2014.07.02

30.   韩德栋;王漪;张盛东;孙雷;张韬;任奕成;康晋锋;刘晓彦;韩汝琦;申请号: CN201010547529.7申请日: 2010.11.17发明名称: 一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管