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孙雷

职称:副教授

研究所:微纳电子学研究院

研究领域:半导体物理 新兴器件设计和实现 有机器件和电路设计

办公电话:86-10-62753144

电子邮件:sunl@pku.edu.cn

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教育背景

于北京大学获得学士(1997年),硕士(2000年),博士学位(2003年)。进入博士后工作站(2003年至2005年),留校任教(2005年至今)


主要研究领域

半导体物理 新兴器件设计和实现 有机器件和电路设计


主要荣誉与获奖

2006年进入北京市科技新星人才计划,2007年获得北京市科学技术一等奖(集体)。


研究成果概况

先后负责NSFC(国家自然科学基金)课题,BJNSF(北京市自然科学基金)课题,BJNP(北京市专项)课题。


代表性学术论著

发表50余篇学术性期刊和会议论文,典型结果发表于Jpn. J. Appl. Phys.,Semicond. Sci. Technol.,J. Disp. Technol.等期刊。拥有16项中国发明专利。

1.         Liu L.K., Shi C., Zhang Y.B., and Sun L., Perspective analysis of tri gate germanium tunneling field-effect transistor with dopant segregation region at source/drain. Japanese Journal of Applied Physics, 2017. 56(4): 04CD18.

2.         Zhang Y.B., Sun L., Xu H., and Han J.W., Simulation and comparative study of tunneling field effect transistors with dopant-segregated Schottky source/drain. Japanese Journal of Applied Physics, 2016. 55(4): 04ED09.

3.         Zhang Y.B., Sun L., Xu H., Han J.W., Wang Y., and Zhang S.D., Comparative study of silicon nanowire transistors with triangular-shaped cross sections. Japanese Journal of Applied Physics, 2015. 54(4): 04DN01.

4.         Xu H., Sun L., Zhang Y.B., Han J.W., Wang Y., and Zhang S.D., New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain. Japanese Journal of Applied Physics, 2015. 54(4): 04DC13.

5.         Han J.W., Sun L., Xu H., Zhang Y.B., Zhang S.D., and Wang Y., Impact of gate coupling and misalignment on performance of double-gate organic thin film transistors. Japanese Journal of Applied Physics, 2015. 54(4): 04DK04.

6.         Zhang Y.B., Sun L., Xu H., Xia Y.Q., Wang Y., and Zhang S.D., Comparative study of dopant-segregated Schottky barrier germanium nanowire transistors. Japanese Journal of Applied Physics, 2014. 53(4): 04EN03.

7.         Wang L.Y., Sun L., Han D.D., Wang Y., Chan M.S., and Zhang S.D., A hybrid a-Si and poly-Si TFTs technology for AMOLED pixel circuits. Journal of Display Technology, 2014. 10(4): 317-320.

8.         Pu J., Sun L., and Han R.Q., Performance investigation on p-type Si-, Ge-, and Ge-Si core-shell nanowire Schottky barrier transistors. Japanese Journal of Applied Physics, 2011. 50(4): 04DN10.

9.         Sun L., Li D.Y., Zhang S.D., Liu X.Y., Wang Y., and Han R.Q., A planar asymmetric Schottky barrier source/drain structure for nano-scale MOSFETs. Semiconductor Science and Technology, 2006. 21(5): 608-611.

10.     Sun L., Li D.Y., Liu X.Y., and Han R.Q., Feasible approach to the fabrication of asymmetric Schottky barrier MOSFETs by using the spacer technique. Microelectronics Journal, 2006. 37(4): 332-335.