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刘力锋

职称:教授

研究所:微纳电子学研究院

研究领域:氧化物微电子材料及器件

办公电话:86-10-62766573

电子邮件:lfliu@pku.edu.cn

个人主页:

科研/教育经历

2005年3月在中国科学院半导体研究所获得材料物理与化学博士学位。2005年4月进入北京大学信息科学技术学院微电子学研究院从事博士后研究,出站后留校工作,2009年8月晋升副教授,2015年8月晋升教授。曾于2012年10月至2013年10月赴美国密歇根大学电子工程系进行访问研究。


研究成果概况

主要研究领域为新型阻变存储材料与器件、类脑神经形态材料与器件。在国内外期刊和会议上发表论文120余篇,论文累计他引1000余次,获得30余项中国授权发明专利,4项美国授权专利。主持国家重大专项02专项课题1项,国家重点研发计划专项课题1项,国家自然科学基金项目2项,作为项目骨干成员参加国家自然基金创新群体项目1项,国家自然基金重点项目2项。

 

Selected Publications

[1] Wenjia Ma, Zheng Zhou, Dongbin Zhu, Lifeng Liu*, Quaternary nonvolatile adder implemented with HfOx/TiOx/HfOx/TiOx multilayer based resistive random access memory, Electronics Letters,2016,52(12):1073-1074.

[2] Bin Gao, Yingjie Bi, Hongyu Chen, Rui Liu, Peng Huang, Bing Chen, Lifeng Liu*, Xiaoyan Liu, Shimeng Yu, H.S.Philip. Wong, and Jinfeng Kang, Ultra-low-Energy three-dimensional oxide-based electronic synapses for implementation of robust high-accuracy neuromorphic computation systems, ACS Nano, 2014,8(7):6998-7004.

[3] Bin Gao, Bing Chen, Feifei Zhang, Lifeng Liu*, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Hongyu Yu, and Bin Yu, A novel defect-engineering-based implementation for high-performance multilevel data storage in resistive switching memory, IEEE Transactions on Electron Devices, 2013,60(4)137    9-1383.

[4] Yang Lu, Bin Gao, Yihan Fu, Bing Chen, Lifeng Liu*, Xiaoyan Liu, and Jinfeng Kang, A Simplified Model for Resistive Switching of Oxide-Based Resistive Random Access Memory Devices, IEEE Electron Device Letters, 2012,33(3):306-308.

[5] Haowei Zhang, Lifeng Liu*, Bin Gao,Yuanjun Qiu, Xiaoyan Liu, Jing Lu, Ruqi Han, Jinfeng Kang, and Bin Yu, Gd-doping effect on performance of HfO2 based resistive switching memory devices using implantation approach, Applied Physics Letters,2011,98, 042105.