物理电子学研究所彭练矛教授团队入选2017年度中国高等学校十大科技进展_科学研究_北京大学信息科学技术学院

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物理电子学研究所彭练矛教授团队入选2017年度中国高等学校十大科技进展

发布时间:2017-12-26

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日前,经过高校申报和公示、形式审查、学部初评、项目终审等评审流程,由教育部科学技术委员会组织评选的2017年度中国高等学校十大科技进展在京揭晓。

北京大学信息科学技术学院物理电子学研究所、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛教授团队的项目“5纳米碳纳米管CMOS器件”榜上有名。该团队曾在2000年的评选中凭项目“亚纳米碳管的稳定性研究”首次入选。

芯片是信息时代的基础与推动力,现有CMOS技术将触碰其极限。碳纳米管技术被认为是后摩尔时代的重要选项。理论研究表明,碳管晶体管有望提供更高的性能和更低的功耗,且较易实现三维集成,系统层面的综合优势将高达上千倍,芯片技术由此可能提升至全新高度。北京大学电子学系彭练矛教授团队在碳纳米管CMOS器件物理和制备技术、性能极限探索等方面取得重大突破,放弃传统掺杂工艺,通过控制电极材料来控制晶体管的极性,抑制短沟道效应,首次实现了5纳米栅长的高性能碳管晶体管,性能超越目前最好的硅基晶体管,接近量子力学原理决定的物理极限,有望将CMOS技术推进至3纳米以下技术节点。2017120日,标志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 为题,在线发表于《科学》(Science, 2017, 355: 271-276);被包括IBM研究人员在内的同行在《科学》《自然?纳米技术》等期刊24次公开正面引用,并入选ESI高被引论文。相关工作被Nature IndexIEEE SpectrumNano Today、《科技日报》等国内外主流学术媒体和新华社报道;《人民日报》(海外版)评价碳管晶体管的“工作速度是英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管的三倍,而能耗只是其四分之一”,意味着中国科学家“有望在芯片技术上赶超国外同行”,“是中国信息科技发展的一座新里程碑”。

1998年以来,这项评选已开展20届,对提升高等学校科技的整体水平、增强高校的科技创新能力发挥了积极作用,并产生较大的社会影响,赢得了较高的声誉。

信息来源:http://www.moe.gov.cn/jyb_xwfb/gzdt_gzdt/s5987/201712/t20171226_322489.html

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